ترانزیستورهای دو قطبی П701A ساختارهای انتشار آلیاژ سیلیکون npn تقویت کننده فرکانس پایین برای استفاده در تقویت کننده ها و ژنراتورهای دستگاه های الکترونیکی طراحی شده است. ترانزیستورها در یک جعبه فلزی به شیشه با سرب های سفت و سخت تولید می شوند. همچنین نوع دستگاه روی کیس مشخص شده است.
ترانزیستور دو قطبی یک قطعه نیمه رسانا است. که برای سوئیچ یا تقویت بکار می‌رود. ترانزیستورها قطعات فعال سه پایه‌ای هستند. این ترانزیستورها از مواد نیمه رسانای گوناگون ساخته شده‌اند. که می‌توانند بصورت عایق و یک رسانا توسط یک ولتاژ سیگنال کوچک اعمالی عمل کنند. توانایی ترانزیستورها در تغییر بین این دو حالت امکان داشتن دو عملکرد اساسی را فراهم می‌کند. که “سوئیچینگ” (الکترونیک دیجیتال) یا “تقویت” (الکترونیک آنالوگ) نام دارد.
جرم ترانزیستور بیش از 12 گرم نیست، با فلنج نصب – نه بیشتر از 16 گرم
نمادهای پارامترهای الکتریکی ترانزیستورها
P KT – بیشترین مقدار مجاز اتلاف توان مداوم در کلکتور ترانزیستور به هیت سینک
U FE R – بیشترین ولتاژ بین کلکتور و امیتر در جریان کلکتور معین و مقاومت در مدار بیس-امیتر
h21E – ضریب انتقال جریان ساکن ترانزیستور دوقطبی
U CE us ولتاژ اشباع بین کلکتور و امیتر ترانزیستور است.
I KBO – جریان معکوس کلکتور. جریان از طریق اتصال کلکتور در یک ولتاژ معکوس پایه کلکتور و یک پایانه امیتر باز
I EBO – جریان معکوس امیتر. جریان از طریق اتصال امیتر در یک ولتاژ معکوس پایه امیتر و یک پایانه کلکتور باز
f gr – فرکانس قطع ضریب انتقال جریان
I K – حداکثر جریان مستقیم مجاز کلکتور ترانزیستور
K W – رقم نویز ترانزیستور
I K. I. – ماکزیمم جریان پالس مجاز کلکتور ترانزیستور
С К – ظرفیت اتصال جمع کنندهU CE 0 – حداکثر ولتاژ بین کلکتور و امیتر ترانزیستور در جریان کلکتور معین و جریان پایه برابر با صفر
С Э – ظرفیت اتصال جمع کننده
Т П max – حداکثر دمای مجاز محل اتصال
T max – حداکثر دمای مجاز محیط
U KB 0 بیشترین ولتاژ پایه کلکتور در جریان کلکتور معین و جریان امیتر برابر با صفر
U EB 0 max – ماکزیمم ولتاژ پایه امیتر ثابت مجاز در جریان کلکتور برابر با صفر